Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes
文献类型：期刊论文
| 作者 | He Kang ; Quan Wang ; Hongling Xiao ; Cuimei Wang ; Lijuan Jiang ; Chun Feng ; Hong Chen ; Haibo Yin ; Shenqi Qu ; Enchao Peng ; Jiamin Gong ; Xiaoliang Wang ; Baiquan Li ; Zhanguo Wang ; Xun Hou |
| 刊名 | phys. status solidi a
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 212期号:5页码:1158-1161 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26858]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | He Kang,Quan Wang,Hongling Xiao,et al. Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes[J]. phys. status solidi a,2015,212(5):1158-1161. |
| APA | He Kang.,Quan Wang.,Hongling Xiao.,Cuimei Wang.,Lijuan Jiang.,...&Xun Hou.(2015).Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes.phys. status solidi a,212(5),1158-1161. |
| MLA | He Kang,et al."Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes".phys. status solidi a 212.5(2015):1158-1161. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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