Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO
文献类型：期刊论文
| 作者 | Hui Xie ; Tong Liu ; JingMing Liu ; KeWei Cao ; ZhiYuan Dong ; Jun Yang ; YouWen Zhao |
| 刊名 | science china technological sciences
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 58期号:8页码:1333-1338 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26862]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Hui Xie,Tong Liu,JingMing Liu,et al. Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO[J]. science china technological sciences,2015,58(8):1333-1338. |
| APA | Hui Xie.,Tong Liu.,JingMing Liu.,KeWei Cao.,ZhiYuan Dong.,...&YouWen Zhao.(2015).Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO.science china technological sciences,58(8),1333-1338. |
| MLA | Hui Xie,et al."Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO".science china technological sciences 58.8(2015):1333-1338. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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