Optimization of 1.3-µm InGaAsP/InP Electro-Absorption Modulator
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang HuiTao ; Zhou DaiBing ; Zhang RuiKang ; Lu Dan ; Zhao LingJuan ; Zhu HongLiang ; Wang Wei ; Ji Chen |
| 刊名 | chinese physics letters
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 32期号:8页码:084203 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26818]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang HuiTao,Zhou DaiBing,Zhang RuiKang,et al. Optimization of 1.3-µm InGaAsP/InP Electro-Absorption Modulator[J]. chinese physics letters,2015,32(8):084203. |
| APA | Wang HuiTao.,Zhou DaiBing.,Zhang RuiKang.,Lu Dan.,Zhao LingJuan.,...&Ji Chen.(2015).Optimization of 1.3-µm InGaAsP/InP Electro-Absorption Modulator.chinese physics letters,32(8),084203. |
| MLA | Wang HuiTao,et al."Optimization of 1.3-µm InGaAsP/InP Electro-Absorption Modulator".chinese physics letters 32.8(2015):084203. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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