适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 殷景志 ; 刘素萍 ; 刘宗顺 ; 王新强 ; 殷宗友 ; 李正庭 ; 杨树人 ; 杜国同 |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 30期号:1页码:53-56 |
| 中文摘要 | 研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质，采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构，器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性，实现了偏振灵敏度小于0.5 dB，100 mA偏置时可达0.1 dB。在较大的电流范围内，峰的半高全宽（FWHM）为40 nm。 |
| 英文摘要 | 研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质，采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构，器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性，实现了偏振灵敏度小于0.5 dB，100 mA偏置时可达0.1 dB。在较大的电流范围内，峰的半高全宽（FWHM）为40 nm。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:49导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5021.pdf: 264623 bytes, checksum: cf5ff41c69e04e0eacd69165d1347187 (MD5) Previous issue date: 2003; 国家自然科学基金重大项目（编号; 吉林大学电子工程系;中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金重大项目（编号 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17949]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷景志,刘素萍,刘宗顺,等. 适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质[J]. 中国激光,2003,30(1):53-56. |
| APA | 殷景志.,刘素萍.,刘宗顺.,王新强.,殷宗友.,...&杜国同.(2003).适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质.中国激光,30(1),53-56. |
| MLA | 殷景志,et al."适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质".中国激光 30.1(2003):53-56. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。