1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川
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| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 31期号:6页码:551-554 |
| 中文摘要 | 用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料，并制成发光二极管，对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰，分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明，由于能态填充效应的影响，适当增大量子点发光器件有源区长度，更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。 |
| 英文摘要 | 用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料，并制成发光二极管，对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰，分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明，由于能态填充效应的影响，适当增大量子点发光器件有源区长度，更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:53导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5032.pdf: 266545 bytes, checksum: 1dd72bdd0bfa2259e6ced2991a63c46e (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金（No. 6 176 6）,国家自然科学基金（No. 6 2541 ）,中国科学院纳米科学与技术资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（No. 6 176 6）,国家自然科学基金（No. 6 2541 ）,中国科学院纳米科学与技术资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17971]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. 1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究[J]. 人工晶体学报,2002,31(6):551-554. |
| APA | 牛智川.(2002).1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究.人工晶体学报,31(6),551-554. |
| MLA | 牛智川."1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究".人工晶体学报 31.6(2002):551-554. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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