硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邓晓清 ; 杨沁清 ; 王红杰 ; 胡雄伟 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:12页码:1303-1307 |
| 中文摘要 | 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导的两种偏振补偿方法的可行性。结果表明采用应力释放槽和调节上包层热膨胀系数都可改善波导的偏振相关性。采用应力释放槽可以释放波导中的由于硅衬底与二氧化硅热膨胀系数失配造成的压应力，可以影响芯区附近的应力分布，但是只有释放槽的深度达到一定值时才能改善波导的偏振相关性，增大槽的宽度也在一定程度改善偏振相关性，但效果较差。调节波导上包层的热膨胀系数可以很好的解决波导的偏振相关问题，而调节波导的其它层的热膨胀系数对波导的偏振相关作用较小。 |
| 英文摘要 | 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导的两种偏振补偿方法的可行性。结果表明采用应力释放槽和调节上包层热膨胀系数都可改善波导的偏振相关性。采用应力释放槽可以释放波导中的由于硅衬底与二氧化硅热膨胀系数失配造成的压应力，可以影响芯区附近的应力分布，但是只有释放槽的深度达到一定值时才能改善波导的偏振相关性，增大槽的宽度也在一定程度改善偏振相关性，但效果较差。调节波导上包层的热膨胀系数可以很好的解决波导的偏振相关问题，而调节波导的其它层的热膨胀系数对波导的偏振相关作用较小。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5038.pdf: 227964 bytes, checksum: 01eaeb065290938987807353faa90649 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金（批准号; 中国科学院半导体研究所光电研究发展中心 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（批准号 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17983]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓晓清,杨沁清,王红杰,等. 硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析[J]. 半导体学报,2002,23(12):1303-1307. |
| APA | 邓晓清,杨沁清,王红杰,胡雄伟,&王启明.(2002).硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析.半导体学报,23(12),1303-1307. |
| MLA | 邓晓清,et al."硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析".半导体学报 23.12(2002):1303-1307. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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