硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邓晓清 ; 杨沁清 ; 王红杰 ; 胡雄伟 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:11页码:1196-1200 |
| 中文摘要 | 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布，结果表明波导主要受横向压应力影响，而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近。根据波导的应力分布，得出波导的折射率分布，并使用ADI全矢量方法示解出波导的模式折射率。比较考虑应力和未考虑应力的波导模式折射率可以得出 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（批准号 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17989]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓晓清,杨沁清,王红杰,等. 硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析[J]. 半导体学报,2002,23(11):1196-1200. |
| APA | 邓晓清,杨沁清,王红杰,胡雄伟,&王启明.(2002).硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析.半导体学报,23(11),1196-1200. |
| MLA | 邓晓清,et al."硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析".半导体学报 23.11(2002):1196-1200. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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