Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets
文献类型：期刊论文
| 作者 | Kai Xu ; Hui-Xiong Deng ; Zhenxing Wang ; Yun Huang ; Feng Wang ; Shu-Shen Li ; Jun-Wei Luo ; Jun He |
| 刊名 | Nanoscale
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 7期号:38页码:15757-15762 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-04-08 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26941]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Kai Xu,Hui-Xiong Deng,Zhenxing Wang,et al. Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets[J]. Nanoscale,2015,7(38):15757-15762. |
| APA | Kai Xu.,Hui-Xiong Deng.,Zhenxing Wang.,Yun Huang.,Feng Wang.,...&Jun He.(2015).Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets.Nanoscale,7(38),15757-15762. |
| MLA | Kai Xu,et al."Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets".Nanoscale 7.38(2015):15757-15762. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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