Single- and Few-Electron States in Deformed Topological Insulator Quantum Dots
文献类型：期刊论文
| 作者 | LI Jian ; ZHANG Dong |
| 刊名 | chinese physics letters
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 32期号:4页码:047303 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-04-08 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26954]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | LI Jian,ZHANG Dong. Single- and Few-Electron States in Deformed Topological Insulator Quantum Dots[J]. chinese physics letters,2015,32(4):047303. |
| APA | LI Jian,&ZHANG Dong.(2015).Single- and Few-Electron States in Deformed Topological Insulator Quantum Dots.chinese physics letters,32(4),047303. |
| MLA | LI Jian,et al."Single- and Few-Electron States in Deformed Topological Insulator Quantum Dots".chinese physics letters 32.4(2015):047303. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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