Gate Tuning of High-Performance InSe-Based Photodetectors Using Graphene Electrodes
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wengang Luo ; Yufei Cao ; Pingan Hu ; Kaiming Cai ; Qi Feng ; Faguang Yan ; Tengfei Yan ; Xinhui Zhang ; Kaiyou Wang |
| 刊名 | advanced optical materials
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 3期号:10页码:1418–1423 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-04-08 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26956]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wengang Luo,Yufei Cao,Pingan Hu,et al. Gate Tuning of High-Performance InSe-Based Photodetectors Using Graphene Electrodes[J]. advanced optical materials,2015,3(10):1418–1423. |
| APA | Wengang Luo.,Yufei Cao.,Pingan Hu.,Kaiming Cai.,Qi Feng.,...&Kaiyou Wang.(2015).Gate Tuning of High-Performance InSe-Based Photodetectors Using Graphene Electrodes.advanced optical materials,3(10),1418–1423. |
| MLA | Wengang Luo,et al."Gate Tuning of High-Performance InSe-Based Photodetectors Using Graphene Electrodes".advanced optical materials 3.10(2015):1418–1423. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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