AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 方再利 ; 李国华 ; 韩和相 ; 丁琨 ; 陈晔 ; 彭中灵 ; 袁诗鑫 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 21期号:1页码:28-32 |
| 中文摘要 | 测量了ZnSe_(0.92)Te_(0.08)/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱。观察到AnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光，发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%，表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的。还观察到了激子在ZnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻（CdSe）_1/(ZnSe)_3短周期超晶格之间的转移现象。 |
| 英文摘要 | 测量了ZnSe_(0.92)Te_(0.08)/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱。观察到AnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光，发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%，表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的。还观察到了激子在ZnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻（CdSe）_1/(ZnSe)_3短周期超晶格之间的转移现象。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:56导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5045.pdf: 274674 bytes, checksum: 951dd79ddcf28ef822d898e6b46fe929 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金（批准号69776 12）; 中国科学院半导研究所;中国科学院上海技术物理研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（批准号69776 12） |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17997]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方再利,李国华,韩和相,等. AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究[J]. 红外与毫米波学报,2002,21(1):28-32. |
| APA | 方再利.,李国华.,韩和相.,丁琨.,陈晔.,...&袁诗鑫.(2002).AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究.红外与毫米波学报,21(1),28-32. |
| MLA | 方再利,et al."AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究".红外与毫米波学报 21.1(2002):28-32. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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