半导体微碟激光器设计原理与工艺制作
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴根柱 ; 杜宝勋 ; 杨进华 ; 任大翠 ; 张兴德 |
| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 22期号:5页码:563-567 |
| 中文摘要 | 用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理，采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单，对有效光子状态密度调制较大，是比较理想的半导体微腔激光器。 |
| 英文摘要 | 用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理，采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单，对有效光子状态密度调制较大，是比较理想的半导体微腔激光器。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:10导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5065.pdf: 243039 bytes, checksum: d40146ca50d19a60431f56f3fc2ee49e (MD5) Previous issue date: 2002; 国家兵器预研项目（CHGJ-1998）; 长春光学精密机械学院;中国科学院北京半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家兵器预研项目（CHGJ-1998） |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18037]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴根柱,杜宝勋,杨进华,等. 半导体微碟激光器设计原理与工艺制作[J]. 光学学报,2002,22(5):563-567. |
| APA | 吴根柱,杜宝勋,杨进华,任大翠,&张兴德.(2002).半导体微碟激光器设计原理与工艺制作.光学学报,22(5),563-567. |
| MLA | 吴根柱,et al."半导体微碟激光器设计原理与工艺制作".光学学报 22.5(2002):563-567. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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