GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张书明 ; 赵德刚
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:9页码:1001-1005 |
| 中文摘要 | 利用光学薄膜原理，计算了采用晶片键合技术来提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性，以Ni为粘附层，Ag为反射层的Ni/Ag/Au薄膜体系可以使立方GaN的出光效率从理论上提高2.65倍左右。实验结果证实，利用键合方法实现的以Ni/Ag/Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的GaN/GaAs样品的光反射率的理论计算的459.2nm处提高了2.4倍。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,NSFC-RGC联合基金（批准号：5 1161953, N-H KU 28/ ） |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18065]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张书明,赵德刚. GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现[J]. 半导体学报,2002,23(9):1001-1005. |
| APA | 张书明,&赵德刚.(2002).GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现.半导体学报,23(9),1001-1005. |
| MLA | 张书明,et al."GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现".半导体学报 23.9(2002):1001-1005. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。