GAN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈敦军 ; 毕朝霞 ; 沈波 ; 张开骁 ; 顾书林 ; 张荣 ; 施毅 ; 胡立群 ; 郑有（火+斗） ; 孙学浩 ; 万寿科 ; 王占国 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:7页码:782-784 |
| 中文摘要 | 用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN_(1-x)P_x 三元合金。俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN_(1-x)P_x 中P的掺入量最高达到20%且分布均匀；X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga-P键的存在。对不同P组分的GaN_(1-x)P_x 样品进行了低温光致发光（PL）测试，与来自GaN衬底的带边发射相比，随三元合金中P组分的变化，GaN_(1-x)P_x 的PL峰呈现出了不同程度的红移。在GaN_(1-x)P_x 的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰，表明该合金材料没有发生相分离。 |
| 英文摘要 | 用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN_(1-x)P_x 三元合金。俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN_(1-x)P_x 中P的掺入量最高达到20%且分布均匀；X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga-P键的存在。对不同P组分的GaN_(1-x)P_x 样品进行了低温光致发光（PL）测试，与来自GaN衬底的带边发射相比，随三元合金中P组分的变化，GaN_(1-x)P_x 的PL峰呈现出了不同程度的红移。在GaN_(1-x)P_x 的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰，表明该合金材料没有发生相分离。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:16导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5080.pdf: 218901 bytes, checksum: 04859fca42c91749f9e4b3587b5bff86 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家重点基础研究专项（编号：G2 683）,国家自然科学基金（批准号：6 136 2 ，69976 14，69987 1）,国家高技术研究发展计划资助项目; 南京大学物理系;中国科学院半导体研究 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究专项（编号：G2 683）,国家自然科学基金（批准号：6 136 2 ，69976 14，69987 1）,国家高技术研究发展计划资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18067]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈敦军,毕朝霞,沈波,等. GAN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长[J]. 半导体学报,2002,23(7):782-784. |
| APA | 陈敦军.,毕朝霞.,沈波.,张开骁.,顾书林.,...&王占国.(2002).GAN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长.半导体学报,23(7),782-784. |
| MLA | 陈敦军,et al."GAN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长".半导体学报 23.7(2002):782-784. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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