氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周江峰 ; 王建朝 ; 李昌义 ; 潘华勇 ; 冯孙齐 ; 俞大鹏 |
| 刊名 | 材料科学与工艺
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 10期号:1页码:11-13 |
| 中文摘要 | 报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果。利用镍、甸及其化合物等做催化剂，将金属镓放置在氨气中1000 ℃左右进行反应，结果在衬底上获得了大量的氮化镓微米晶须，及纳米线。许多晶须还通过自组装形成了非常奇特的梯子状的形貌。研究还发现，大部分氮化镓微米晶须的择优生长方向为<0001>方向（c轴方向）。X射线衍射谱揭示，反应产物为非常纯的氮化镓晶体，而低温光致发光谱分析则发现，氮化镓微米晶须在520 nm处有一个杂质发光峰。这一研究结果有助于了解氮化镓晶体的生长机理，并可望应用于微米、纳米蓝光发光二极管等器件。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家杰出青年科学基金（5 252 6）资助项目,国家自然科学基金（19834 8 ） |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18089]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周江峰,王建朝,李昌义,等. 氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究[J]. 材料科学与工艺,2002,10(1):11-13. |
| APA | 周江峰,王建朝,李昌义,潘华勇,冯孙齐,&俞大鹏.(2002).氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究.材料科学与工艺,10(1),11-13. |
| MLA | 周江峰,et al."氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究".材料科学与工艺 10.1(2002):11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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