空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王荣 ; 周宏余 ; 司戈丽 ; 姚淑德 ; 张新辉 ; 郭增良 ; 翟佐绪 ; 王勇刚 ; 朱升云 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:1页码:49-52 |
| 中文摘要 | 研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1 * 10~9 ～ 5 * 10~(13) cm~(-2)的变化。实验表明，两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势，背场Si太阳电池性能参数I_(sc)、V_(oc)和P_(max)衰降变化快，辐照注量为2 * 10~(10)cm~(-2)时，P_(max)就已衰降为原值的75％；而GaAs/Ge电池对应相同的衰降辐照注量达8 * 10~(11)cm~(-2), 且其I_(sc)、V_(oc)和P_(max)衰降变化起初缓慢，当辐照注量接近3 * 10~(12)~(-2)时才迅速下降。背场Si电池和GaAs/Ge电池性能衰降分别与擀子辐照引入的E_v + 0.14eV及E_v + 0.43eV和E_c - 0.41eV深能级有关。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 教育部重点实验室访问学者基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18109]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王荣,周宏余,司戈丽,等. 空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较[J]. 半导体学报,2002,23(1):49-52. |
| APA | 王荣.,周宏余.,司戈丽.,姚淑德.,张新辉.,...&朱升云.(2002).空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较.半导体学报,23(1),49-52. |
| MLA | 王荣,et al."空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较".半导体学报 23.1(2002):49-52. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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