单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王俊; 王俊 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:1页码:43-48 |
| 中文摘要 | 对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火，采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化，对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证实NTD氢区熔单晶硅在150 ～ 650 ℃范围内等时退火具有显著特点 |
| 英文摘要 | 对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火，采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化，对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证实NTD氢区熔单晶硅在150 ～ 650 ℃范围内等时退火具有显著特点; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:27导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5104.pdf: 321222 bytes, checksum: e01c0fefd02e90f0fe8d5a0ded259ca3 (MD5) Previous issue date: 2002; 中科院半导体所材料科学中心 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18115]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,王俊. 单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用[J]. 半导体学报,2002,23(1):43-48. |
| APA | 王俊,&王俊.(2002).单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用.半导体学报,23(1),43-48. |
| MLA | 王俊,et al."单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用".半导体学报 23.1(2002):43-48. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。