(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶小玲
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:1页码:26-29 |
| 中文摘要 | 利用低能双离子束外延技术，在400 ℃条件下生长样品（Ga, Mn, As）/GaAs。样品光致发光谱出现三个峰，即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带。宽发光带的中心位置在1.35eV附近，半宽约0.1eV在840 ℃条件下对样品进行退火处理，退火后的谱结构类似退火前，但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5066eV和1.4894eV，同时低能侧的宽发光带的强度大大增加。这一宽发射的来源还不清楚，原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带，生成Mn_2As新相，Mn占Ga位或形成GaMnAs合金。 |
| 英文摘要 | 利用低能双离子束外延技术，在400 ℃条件下生长样品（Ga, Mn, As）/GaAs。样品光致发光谱出现三个峰，即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带。宽发光带的中心位置在1.35eV附近，半宽约0.1eV在840 ℃条件下对样品进行退火处理，退火后的谱结构类似退火前，但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5066eV和1.4894eV，同时低能侧的宽发光带的强度大大增加。这一宽发射的来源还不清楚，原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带，生成Mn_2As新相，Mn占Ga位或形成GaMnAs合金。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:30导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5109.pdf: 208082 bytes, checksum: 608e60111b82f0bb66f531ae91f4f227 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家重点基础研究专项经费（G2 683）,攀登计划（PAN95－YU－34）基金资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究专项经费（G2 683）,攀登计划（PAN95－YU－34）基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18125]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶小玲. (Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱[J]. 半导体学报,2002,23(1):26-29. |
| APA | 叶小玲.(2002).(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱.半导体学报,23(1),26-29. |
| MLA | 叶小玲."(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱".半导体学报 23.1(2002):26-29. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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