室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨少延
|
| 刊名 | 科学通报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 47期号:24页码:1863-1864 |
| 中文摘要 | 采用离子注入、离子沉积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb，在室温下（300 K）获得了单晶的磁滞回线。用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb的结构，用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布。由X射线衍射得知，Mn_xGa_(1-x)Sb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0。电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1 * 10~(21)cm~(-3)，表明Mn_xGa_(1-x)Sb单晶中大部分Mn原子占据Ga位，起受主作用。 |
| 英文摘要 | 采用离子注入、离子沉积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb，在室温下（300 K）获得了单晶的磁滞回线。用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb的结构，用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布。由X射线衍射得知，Mn_xGa_(1-x)Sb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0。电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1 * 10~(21)cm~(-3)，表明Mn_xGa_(1-x)Sb单晶中大部分Mn原子占据Ga位，起受主作用。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:36导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5122.pdf: 129019 bytes, checksum: e9537739fa1a614455538608191161f7 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金（批准号：6 176 1）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 683，G2 365）资助项目; 中国科学院半导体所;中国科学院力学所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（批准号：6 176 1）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 683，G2 365）资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18151]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少延. 室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb[J]. 科学通报,2002,47(24):1863-1864. |
| APA | 杨少延.(2002).室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb.科学通报,47(24),1863-1864. |
| MLA | 杨少延."室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb".科学通报 47.24(2002):1863-1864. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。