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GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布

文献类型:期刊论文

作者李桂英 ; 刘荣寰 ; 杨锡震 ; 王亚非 ; 桑丽华
刊名稀有金属
出版日期1999
卷号23期号:6页码:72
英文摘要于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:38导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5128.pdf: 135557 bytes, checksum: 4da8722a58f885499a3f1816fd006960 (MD5) Previous issue date: 1999; 北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所;北京师范大学物理系
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18163]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
李桂英,刘荣寰,杨锡震,等. GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布[J]. 稀有金属,1999,23(6):72.
APA 李桂英,刘荣寰,杨锡震,王亚非,&桑丽华.(1999).GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布.稀有金属,23(6),72.
MLA 李桂英,et al."GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布".稀有金属 23.6(1999):72.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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