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砷化镓晶片表面损伤层分析

文献类型:期刊论文

作者郑红军 ; 卜俊鹏 ; 曹福年 ; 白玉柯 ; 吴让元 ; 惠峰 ; 何宏家
刊名稀有金属
出版日期1999
卷号23期号:4页码:241
英文摘要于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:38导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5129.pdf: 257338 bytes, checksum: 46ba2eb0c3c8aad0dbce798512bcbd7f (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18165]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
郑红军,卜俊鹏,曹福年,等. 砷化镓晶片表面损伤层分析[J]. 稀有金属,1999,23(4):241.
APA 郑红军.,卜俊鹏.,曹福年.,白玉柯.,吴让元.,...&何宏家.(1999).砷化镓晶片表面损伤层分析.稀有金属,23(4),241.
MLA 郑红军,et al."砷化镓晶片表面损伤层分析".稀有金属 23.4(1999):241.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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