p~+-n~--n结的势垒分布
文献类型:期刊论文
作者 | 赵普琴 ; 杨锡震 ; 李桂英 ; 王亚非 |
刊名 | 液晶与显示
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出版日期 | 2001 |
卷号 | 16期号:1页码:48 |
中文摘要 | GaP:N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性,由泊松方程自洽求解,得出了半导体n~--n结势垒分布的计算方法。在此基础上,计入n~-区内的电位降,计算了商用发光二极管p~+-n~-n结构的势垒分布,为整体结构的参数优化准备了必要的条件。 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 科技部预研项目 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18189] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵普琴,杨锡震,李桂英,等. p~+-n~--n结的势垒分布[J]. 液晶与显示,2001,16(1):48. |
APA | 赵普琴,杨锡震,李桂英,&王亚非.(2001).p~+-n~--n结的势垒分布.液晶与显示,16(1),48. |
MLA | 赵普琴,et al."p~+-n~--n结的势垒分布".液晶与显示 16.1(2001):48. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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