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p~+-n~--n结的势垒分布

文献类型:期刊论文

作者赵普琴 ; 杨锡震 ; 李桂英 ; 王亚非
刊名液晶与显示
出版日期2001
卷号16期号:1页码:48
中文摘要GaP:N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性,由泊松方程自洽求解,得出了半导体n~--n结势垒分布的计算方法。在此基础上,计入n~-区内的电位降,计算了商用发光二极管p~+-n~-n结构的势垒分布,为整体结构的参数优化准备了必要的条件。
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
资助信息科技部预研项目
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18189]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
赵普琴,杨锡震,李桂英,等. p~+-n~--n结的势垒分布[J]. 液晶与显示,2001,16(1):48.
APA 赵普琴,杨锡震,李桂英,&王亚非.(2001).p~+-n~--n结的势垒分布.液晶与显示,16(1),48.
MLA 赵普琴,et al."p~+-n~--n结的势垒分布".液晶与显示 16.1(2001):48.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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