MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩培德
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| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 16期号:1页码:1 |
| 中文摘要 | 报道用自行研制的LP-MOVPE设备,在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。 |
| 英文摘要 | 报道用自行研制的LP-MOVPE设备,在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5142.pdf: 285689 bytes, checksum: 0d36443d8cdb547d1b295edf2e3d8830 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家863计划; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18191]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩培德. MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED[J]. 液晶与显示,2001,16(1):1. |
| APA | 韩培德.(2001).MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED.液晶与显示,16(1),1. |
| MLA | 韩培德."MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED".液晶与显示 16.1(2001):1. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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