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a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王永谦 ; 陈长勇 ; 陈维德 ; 杨富华 ; 刁宏伟 ; 许振嘉 ; 张世斌 ; 孔光临 ; 廖显伯 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 50期号:12页码:2418 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5164.pdf: 341346 bytes, checksum: 1a298837e7df9c8f52605af1d3210cc2 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家973计划,国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家973计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18233]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永谦,陈长勇,陈维德,等. a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究[J]. 物理学报,2001,50(12):2418. |
| APA | 王永谦.,陈长勇.,陈维德.,杨富华.,刁宏伟.,...&廖显伯.(2001).a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究.物理学报,50(12),2418. |
| MLA | 王永谦,et al."a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究".物理学报 50.12(2001):2418. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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