预注入对Si_（1-x）C_x合金形成的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 50期号:7页码:1329 |
| 中文摘要 | 室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)at%的C原子，部分样品在C离子注入之前在其中注入~(29)Si~+离子产生损伤，然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金，研究了预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响。如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量，在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si_(1-x)C_x合金，预注入形成的损伤有利于合金的形成。随着C离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，预注入反而不利于Si_(1-x)C_x合金的形成，但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时，预注入的影响可以忽略。退火温度升高到1050℃，无论预注入还是未预注入样品，C含量低的合金相仍然保留，而C含量高的合金相大部分消失。 |
| 英文摘要 | 室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)at%的C原子，部分样品在C离子注入之前在其中注入~(29)Si~+离子产生损伤，然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金，研究了预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响。如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量，在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si_(1-x)C_x合金，预注入形成的损伤有利于合金的形成。随着C离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，预注入反而不利于Si_(1-x)C_x合金的形成，但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时，预注入的影响可以忽略。退火温度升高到1050℃，无论预注入还是未预注入样品，C含量低的合金相仍然保留，而C含量高的合金相大部分消失。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5165.pdf: 334347 bytes, checksum: f4c111c3fa426c7216dbb4894c2acbd7 (MD5) Previous issue date: 2001; 北京师范大学物理系;中科院半导体所;中科院近代物理所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18235]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田. 预注入对Si_（1-x）C_x合金形成的影响[J]. 物理学报,2001,50(7):1329. |
| APA | 王玉田.(2001).预注入对Si_（1-x）C_x合金形成的影响.物理学报,50(7),1329. |
| MLA | 王玉田."预注入对Si_（1-x）C_x合金形成的影响".物理学报 50.7(2001):1329. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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