不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 49期号:11页码:2210 |
| 中文摘要 | 室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)%的C原子，利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金，研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征，如果注入C原子的浓度小于0.6%，在850-950℃退火过程中，C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合，难于形成Si_(1-x)C_x合金相。随注入C原子含量的增加，C原子几乎全部进入晶格位置形成Si_(1-x)C_x合金，但如果注入C原子的浓度达到1.5%，只有部分C原子参与形成Si_(1-x)C_x合金。升高退火温度，Si_(1-x)C_x合金相基本消失。 |
| 英文摘要 | 室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)%的C原子，利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金，研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征，如果注入C原子的浓度小于0.6%，在850-950℃退火过程中，C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合，难于形成Si_(1-x)C_x合金相。随注入C原子含量的增加，C原子几乎全部进入晶格位置形成Si_(1-x)C_x合金，但如果注入C原子的浓度达到1.5%，只有部分C原子参与形成Si_(1-x)C_x合金。升高退火温度，Si_(1-x)C_x合金相基本消失。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:58导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5173.pdf: 219337 bytes, checksum: c5a68ecc3a809e5f83d5d8d4882eb945 (MD5) Previous issue date: 2000; 北京师范大学物理系;中科院半导体所;中科院近代物理所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18251]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田. 不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征[J]. 物理学报,2000,49(11):2210. |
| APA | 王玉田.(2000).不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征.物理学报,49(11),2210. |
| MLA | 王玉田."不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征".物理学报 49.11(2000):2210. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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