质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨少延
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 49期号:11页码:2186 |
| 中文摘要 | 用质量分离的低能离子束沉积技术得到了非晶碳薄膜，X射线衍射、Raman谱以及俄歇深度谱的线形表明，此种非晶碳膜中镶嵌着金刚石颗粒。碳离子的浅注入是该碳膜SP~3形成的主要机理。从一个侧面说明了化学气相沉积法中偏压预处理增加金刚石成核的主要原因是因为离子轰击效应。 |
| 英文摘要 | 用质量分离的低能离子束沉积技术得到了非晶碳薄膜，X射线衍射、Raman谱以及俄歇深度谱的线形表明，此种非晶碳膜中镶嵌着金刚石颗粒。碳离子的浅注入是该碳膜SP~3形成的主要机理。从一个侧面说明了化学气相沉积法中偏压预处理增加金刚石成核的主要原因是因为离子轰击效应。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:58导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5174.pdf: 320822 bytes, checksum: 5b258fa57ea945eac2a8851085b2d48a (MD5) Previous issue date: 2000; 中科院半导体所;香港城市大学物理和材料科学系 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18253]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少延. 质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应[J]. 物理学报,2000,49(11):2186. |
| APA | 杨少延.(2000).质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应.物理学报,49(11),2186. |
| MLA | 杨少延."质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应".物理学报 49.11(2000):2186. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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