SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金鹏
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 49期号:9页码:1821 |
| 中文摘要 | 利用傅里叶变换(FT)方法，对Franz-Keldysh振荡(FKO)的理论线性作了详细的数值模拟，并用光调制反射谱(PR)测量了一组本征层(I层)厚度不同的表面-本征层n-型重掺杂层(SIN~+)结构的GaAs样品的FKO.PR谱的FT分析表明，一部分样品的FT谱，包括其实部、虚部和模，与理论线性符合得比较好，由此求出轻空空(LH)和重空穴(HH)的约化质量平方根之比μ_1~(1/2)/(μ_h)~(1/2)对不同样品在0.805-0.816之间，同时也可以求出样品中的内建电场强度F_1，和调制光引起的调制电场δF=F_1-F_2。有一些样品的FT谱实部和虚部与理论线性差别很大，用FT的模仍可以给出有用的信息。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18255]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金鹏. SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究[J]. 物理学报,2000,49(9):1821. |
| APA | 金鹏.(2000).SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究.物理学报,49(9),1821. |
| MLA | 金鹏."SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究".物理学报 49.9(2000):1821. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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