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GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性

文献类型:期刊论文

作者徐波
刊名物理学报
出版日期1999
卷号48期号:8页码:1541
英文摘要于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:01导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5180.pdf: 194431 bytes, checksum: 65cf4bded0b2dea2ee0960f400233dc7 (MD5) Previous issue date: 1999; 国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18265]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
徐波. GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性[J]. 物理学报,1999,48(8):1541.
APA 徐波.(1999).GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性.物理学报,48(8),1541.
MLA 徐波."GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性".物理学报 48.8(1999):1541.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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