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自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吕振东 ; 李晴 ; 许继宗 ; 郑宝真 ; 徐仲英 ; 葛惟锟 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 48期号:4页码:744 |
| 中文摘要 | 介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术，以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果。实验发现，自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns，与InAs层厚度关系不大；激子寿命与温度有一定的关系，但没有明显的实验证据表明与量子点的δ态密度有关；用粒子数混合技术，实验上可直接观察到量子点中载流子在激发态能级的态填充过程。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18267]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕振东,李晴,许继宗,等. 自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究[J]. 物理学报,1999,48(4):744. |
| APA | 吕振东,李晴,许继宗,郑宝真,徐仲英,&葛惟锟.(1999).自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究.物理学报,48(4),744. |
| MLA | 吕振东,et al."自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究".物理学报 48.4(1999):744. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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