SiC器件工艺的发展状况
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王姝睿 ; 刘忠立 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 30期号:6页码:422 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18289]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王姝睿,刘忠立. SiC器件工艺的发展状况[J]. 微电子学,2000,30(6):422. |
| APA | 王姝睿,&刘忠立.(2000).SiC器件工艺的发展状况.微电子学,30(6),422. |
| MLA | 王姝睿,et al."SiC器件工艺的发展状况".微电子学 30.6(2000):422. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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