C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田
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| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 45期号:16页码:1709 |
| 中文摘要 | 利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%～1.0%的Si_(1-x)C_x合金，研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其在退火过程中的稳定性。如果注入剂量小于引起Si非晶化的剂量，850℃退火后，注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si_(1-x)C_x合金。随着注入C离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，容易形成Si_(1-x)C_x合金，但注入的剂量增大到一定程度，Si_(1-x)C_x合金的应变将趋于饱和，即只有部分C原子进入晶格位置形成合金相。Si_(1-x)C_X合金一旦形成，在950℃仍比较稳定，而温度高于1000℃，合金的应力将部分释放。随着合金中C原子浓度的升高，合金的稳定性变差。 |
| 英文摘要 | 利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%～1.0%的Si_(1-x)C_x合金，研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其在退火过程中的稳定性。如果注入剂量小于引起Si非晶化的剂量，850℃退火后，注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si_(1-x)C_x合金。随着注入C离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，容易形成Si_(1-x)C_x合金，但注入的剂量增大到一定程度，Si_(1-x)C_x合金的应变将趋于饱和，即只有部分C原子进入晶格位置形成合金相。Si_(1-x)C_X合金一旦形成，在950℃仍比较稳定，而温度高于1000℃，合金的应力将部分释放。随着合金中C原子浓度的升高，合金的稳定性变差。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:09导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5197.pdf: 238265 bytes, checksum: 2cee38b9d800fd411e4f7c3ecbc5cad7 (MD5) Previous issue date: 2000; 北京师范大学物理系;中科院半导体所;中科院近代物理所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18299]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田. C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性[J]. 科学通报,2000,45(16):1709. |
| APA | 王玉田.(2000).C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性.科学通报,45(16),1709. |
| MLA | 王玉田."C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性".科学通报 45.16(2000):1709. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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