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ECR plasma CVD法淀积980 nm大功率半导体激光器端面光学膜技术

文献类型:期刊论文

作者陈良惠
刊名中国激光
出版日期1999
卷号26期号:9页码:811
中文摘要介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECR plasma CVD)法淀积980nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性。
英文摘要介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECR plasma CVD)法淀积980nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:17导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5203.pdf: 176905 bytes, checksum: 51f6b88ea6b7e359ef0a5d902c4cf133 (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所
学科主题光电子学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18311]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈良惠. ECR plasma CVD法淀积980 nm大功率半导体激光器端面光学膜技术[J]. 中国激光,1999,26(9):811.
APA 陈良惠.(1999).ECR plasma CVD法淀积980 nm大功率半导体激光器端面光学膜技术.中国激光,26(9),811.
MLA 陈良惠."ECR plasma CVD法淀积980 nm大功率半导体激光器端面光学膜技术".中国激光 26.9(1999):811.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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