InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
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| 刊名 | 中国激光
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 26期号:5页码:390 |
| 中文摘要 | 优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW，激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为0.8W/A，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。 |
| 英文摘要 | 优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW，激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为0.8W/A，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:17导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5205.pdf: 212067 bytes, checksum: a35cc833941e123fbf76cf4fcda68af1 (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所国家光电子工艺中心;北京工业大学 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18315]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J]. 中国激光,1999,26(5):390. |
| APA | 陈良惠.(1999).InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.中国激光,26(5),390. |
| MLA | 陈良惠."InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器".中国激光 26.5(1999):390. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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