立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田
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| 刊名 | 中国科学. A辑， 数学
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 31期号:6页码:562 |
| 中文摘要 | 利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术研究了低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)的立方相GaN/GaAs(001)外延层的表面起伏特征，及其与外延层极性和内部六角相、立方相微孪晶之间的联系。结果表明外延表面存在有大量沿[1-10]方向延伸的条带状台阶，而表面起伏处对应着高密度的六角相或立方相微孪晶，在表面平整的区域内其密度则较低。{111}_(Ga)和{111}_N面上形成六角相和微孪晶概率的明显差异是导致外延层表面台阶状起伏特征的根本原因。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家杰出青年基金 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18327]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田. 立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相[J]. 中国科学. A辑， 数学,2001,31(6):562. |
| APA | 王玉田.(2001).立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相.中国科学. A辑， 数学,31(6),562. |
| MLA | 王玉田."立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相".中国科学. A辑， 数学 31.6(2001):562. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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