自组装InAs/GaAs量子点材料和量子点激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐波
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| 刊名 | 中国科学. A辑，数学
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 30期号:7页码:644 |
| 中文摘要 | 利用分子束外延技术和Stranski-Krastanow生长模式，系统研究In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs,In(Ga)As/InAlAs/InP材料体系应变自组装量子点的形成和演化。通过调节实验条件，可以对量子点的空间排列及有序性进行控制，并实现了InP衬底上量子点向量子线的渡越。研制出激射波长λ=960nm，条宽100μm，腔长800μm的InAs/GaAs量子点激光器，室温连续输出功率大于1W，室温阈值电流密度218A/cm~2,0.53W室温连续工作寿命超过3000h。 |
| 英文摘要 | 利用分子束外延技术和Stranski-Krastanow生长模式，系统研究In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs,In(Ga)As/InAlAs/InP材料体系应变自组装量子点的形成和演化。通过调节实验条件，可以对量子点的空间排列及有序性进行控制，并实现了InP衬底上量子点向量子线的渡越。研制出激射波长λ=960nm，条宽100μm，腔长800μm的InAs/GaAs量子点激光器，室温连续输出功率大于1W，室温阈值电流密度218A/cm~2,0.53W室温连续工作寿命超过3000h。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:20导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5214.pdf: 476647 bytes, checksum: faae3e45ae13f826e7c5c426018864ef (MD5) Previous issue date: 2000; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18333]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐波. 自组装InAs/GaAs量子点材料和量子点激光器[J]. 中国科学. A辑，数学,2000,30(7):644. |
| APA | 徐波.(2000).自组装InAs/GaAs量子点材料和量子点激光器.中国科学. A辑，数学,30(7),644. |
| MLA | 徐波."自组装InAs/GaAs量子点材料和量子点激光器".中国科学. A辑，数学 30.7(2000):644. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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