生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈晔 ; 李国华 ; 朱作明 ; 韩和相 ; 汪兆平 ; 周伟 ; 王占国 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 20期号:1页码:53 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:22导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5219.pdf: 264019 bytes, checksum: 614fa10dbeffe5e3d43d8a879998f6c9 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18343]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈晔,李国华,朱作明,等. 生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究[J]. 红外与毫米波学报,2001,20(1):53. |
| APA | 陈晔.,李国华.,朱作明.,韩和相.,汪兆平.,...&王占国.(2001).生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究.红外与毫米波学报,20(1),53. |
| MLA | 陈晔,et al."生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究".红外与毫米波学报 20.1(2001):53. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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