InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李晴 ; 徐仲英 ; 葛惟昆 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 19期号:5页码:343 |
| 中文摘要 | 用简并激发-探测技术研究了77K温度下InAs/GaAs量子点中载流子快速俘获的弛豫过程。在瞬态反射谱测量中，除观察到与GaAs有关的驰豫过程外(时间常数约为1ps)，还观察到一个时间常数为几个至20ps的反射率上升过程。提出了一个物理模型，表明上述上升过程与光致载流子被InAs层快速俘获过程有关，并由此得到载流子的俘获时间，俘获时间随载流子浓度增加而减小。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家973计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18355]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晴,徐仲英,葛惟昆. InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(5):343. |
| APA | 李晴,徐仲英,&葛惟昆.(2000).InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究.红外与毫米波学报,19(5),343. |
| MLA | 李晴,et al."InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究".红外与毫米波学报 19.5(2000):343. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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