赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓光 ; 常勇 ; 桂永胜 ; 褚君浩 ; 曹昕 ; 曾一平 ; 孔梅影 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 19期号:5页码:333 |
| 中文摘要 | 测量了一系列不同隔离层(spacer)厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管(p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱，详细研究了(el-hh1)和(e2-hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制，并运用有限差分法自洽求解薛定谔和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率，研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家九五计划 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18357]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓光,常勇,桂永胜,等. 赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(5):333. |
| APA | 王晓光.,常勇.,桂永胜.,褚君浩.,曹昕.,...&孔梅影.(2000).赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究.红外与毫米波学报,19(5),333. |
| MLA | 王晓光,et al."赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究".红外与毫米波学报 19.5(2000):333. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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