原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王海龙 ; 王晓东
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| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 19期号:3页码:191 |
| 中文摘要 | 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性。发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低，这可解释为生长过程中原子氢对缺陷的原位中和与钝化作用。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18359]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王海龙,王晓东. 原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(3):191. |
| APA | 王海龙,&王晓东.(2000).原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善.红外与毫米波学报,19(3),191. |
| MLA | 王海龙,et al."原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善".红外与毫米波学报 19.3(2000):191. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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