多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究
文献类型:期刊论文
作者 | 陈晔 ; 张旺 ; 李国华 ; 朱作明 ; 韩和相 ; 汪兆平 ; 周伟 ; 王占国 |
刊名 | 红外与毫米波学报
![]() |
出版日期 | 2000 |
卷号 | 19期号:1页码:19 |
中文摘要 | 测量了自组织多层In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光谱,同时观察到来自浸润层和量子点的发光,首次直接观察了浸润层和量子点之间的载流子热转移。分析发光强度随温度的变化发现浸润发光的热淬灭包括两个过程 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金,国家攀登计划 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18363] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈晔,张旺,李国华,等. 多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(1):19. |
APA | 陈晔.,张旺.,李国华.,朱作明.,韩和相.,...&王占国.(2000).多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究.红外与毫米波学报,19(1),19. |
MLA | 陈晔,et al."多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究".红外与毫米波学报 19.1(2000):19. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。