半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江德生
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| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 19期号:1页码:15 |
| 中文摘要 | 利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态。通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应，发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面而形成载流子浓度梯度引起的，通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法。 |
| 英文摘要 | 利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态。通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应，发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面而形成载流子浓度梯度引起的，通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:26导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5230.pdf: 209702 bytes, checksum: 8f09d1ab5ac1f643d18faf99f17abe13 (MD5) Previous issue date: 2000; 国家自然科学基金; 中科院半导体所;北京师范大学物理系 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18365]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江德生. 半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(1):15. |
| APA | 江德生.(2000).半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究.红外与毫米波学报,19(1),15. |
| MLA | 江德生."半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究".红外与毫米波学报 19.1(2000):15. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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