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硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析

文献类型:期刊论文

作者欧海燕 ; 雷红兵 ; 杨沁清 ; 王红杰 ; 王启明 ; 胡雄伟
刊名光学学报
出版日期2001
卷号21期号:1页码:122
中文摘要从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、Xm内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响,得出结论:小折射率差的正方形波导的双折射系数小; 内应力对双折射的影响比几何参数大;弯曲半径较小时,双折射系数较大,弯曲损耗也较大。
学科主题光电子学
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18395]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
欧海燕,雷红兵,杨沁清,等. 硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析[J]. 光学学报,2001,21(1):122.
APA 欧海燕,雷红兵,杨沁清,王红杰,王启明,&胡雄伟.(2001).硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析.光学学报,21(1),122.
MLA 欧海燕,et al."硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析".光学学报 21.1(2001):122.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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