硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析
文献类型:期刊论文
作者 | 欧海燕 ; 雷红兵 ; 杨沁清 ; 王红杰 ; 王启明 ; 胡雄伟 |
刊名 | 光学学报
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出版日期 | 2001 |
卷号 | 21期号:1页码:122 |
中文摘要 | 从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、Xm内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响,得出结论:小折射率差的正方形波导的双折射系数小; 内应力对双折射的影响比几何参数大;弯曲半径较小时,双折射系数较大,弯曲损耗也较大。 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18395] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧海燕,雷红兵,杨沁清,等. 硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析[J]. 光学学报,2001,21(1):122. |
APA | 欧海燕,雷红兵,杨沁清,王红杰,王启明,&胡雄伟.(2001).硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析.光学学报,21(1),122. |
MLA | 欧海燕,et al."硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析".光学学报 21.1(2001):122. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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