纳米硅薄膜的发光特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘明 ; 傅东锋 ; 何宇亮 ; 李国华 ; 韩和相 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 21期号:1页码:57 |
| 中文摘要 | 研究了nc-Si:H薄膜的光致发光(PL)，分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品，晶粒尺寸有一上限，其值在4～5nm这间。在10～77K,nc-SiH薄膜的发光强度几乎没有变化；当温度高于77K,发光强度指数式下降。随温度升高，发光峰位有少许红移。讨论了nc-Si:H光致发光机理，用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程，认为载流子在晶粒内部激发后，弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。 |
| 英文摘要 | 研究了nc-Si:H薄膜的光致发光(PL)，分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品，晶粒尺寸有一上限，其值在4～5nm这间。在10～77K,nc-SiH薄膜的发光强度几乎没有变化；当温度高于77K,发光强度指数式下降。随温度升高，发光峰位有少许红移。讨论了nc-Si:H光致发光机理，用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程，认为载流子在晶粒内部激发后，弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:34导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5252.pdf: 413831 bytes, checksum: 5064a2ce7e52cf5d7e5a34749515b1db (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 中科院微电子中心;北京航空航天大学;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18409]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,傅东锋,何宇亮,等. 纳米硅薄膜的发光特性研究[J]. 固体电子学研究与进展,2001,21(1):57. |
| APA | 刘明,傅东锋,何宇亮,李国华,&韩和相.(2001).纳米硅薄膜的发光特性研究.固体电子学研究与进展,21(1),57. |
| MLA | 刘明,et al."纳米硅薄膜的发光特性研究".固体电子学研究与进展 21.1(2001):57. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。