Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范缇文 ; 吴巨 ; 王占国 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:4页码:403 |
| 中文摘要 | 介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定Ge_xSi_(1-x)/Si化学梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18425]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范缇文,吴巨,王占国. Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):403. |
| APA | 范缇文,吴巨,&王占国.(2000).Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究.功能材料与器件学报,6(4),403. |
| MLA | 范缇文,et al."Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究".功能材料与器件学报 6.4(2000):403. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。