热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张砚华 ; 范缇文 ; 陈延杰 ; 吴巨 ; 陈诺夫 ; 王占国 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:4页码:369 |
| 中文摘要 | 利用光致瞬态电流谱(Optical Transient Current Spectrum OTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT_1、LT_2、LT_3，退火后各峰的相对强度变化很大，特别L_(LT1)/I_(LT3)=C由退火前的C>>1到退火后C<<1，退火温度越高，C值越小，这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷As Ga及砷间隙A_(si)相关的Li_1能级浓度的下降，反之，与镓空位V_(Ga)相关的LT_3能级浓度上升。另外经800℃，10min热退火后，在LT_2峰处出现了负瞬态，可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸，非共格砷沉淀与GaAs基体间的结构缺陷造成的。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18429]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张砚华,范缇文,陈延杰,等. 热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):369. |
| APA | 张砚华,范缇文,陈延杰,吴巨,陈诺夫,&王占国.(2000).热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响.功能材料与器件学报,6(4),369. |
| MLA | 张砚华,et al."热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响".功能材料与器件学报 6.4(2000):369. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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