在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨少延
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:4页码:338 |
| 中文摘要 | 室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18433]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少延. 在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):338. |
| APA | 杨少延.(2000).在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性.功能材料与器件学报,6(4),338. |
| MLA | 杨少延."在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性".功能材料与器件学报 6.4(2000):338. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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