GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑红军 ; 卜俊鹏 ; 尹玉华 ; 白玉柯 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:4页码:335 |
| 中文摘要 | 采用不同的化学腐蚀方法，探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响，提出氨水系列，进行晶片化学腐蚀，晶片厚度均匀性11.47%，为下步工艺提供平整度较好的晶片。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18435]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑红军,卜俊鹏,尹玉华,等. GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):335. |
| APA | 郑红军,卜俊鹏,尹玉华,&白玉柯.(2000).GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析.功能材料与器件学报,6(4),335. |
| MLA | 郑红军,et al."GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析".功能材料与器件学报 6.4(2000):335. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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