InGaAs/InP中离子注入和新型HPT
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李国辉 ; 杨茹 ; 于民 ; 韩卫 ; 曾一平 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:3页码:259 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 北京市基金,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18447]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国辉,杨茹,于民,等. InGaAs/InP中离子注入和新型HPT[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(3):259. |
| APA | 李国辉,杨茹,于民,韩卫,&曾一平.(2000).InGaAs/InP中离子注入和新型HPT.功能材料与器件学报,6(3),259. |
| MLA | 李国辉,et al."InGaAs/InP中离子注入和新型HPT".功能材料与器件学报 6.3(2000):259. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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