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ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

文献类型:期刊论文

作者谭满清 ; 陆建祖 ; 李玉鉴
刊名功能材料与器件学报
出版日期2000
卷号6期号:3页码:248
英文摘要于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:43导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5272.pdf: 328523 bytes, checksum: 5045d2f83a4e3de6d265b26d88fa6e98 (MD5) Previous issue date: 2000; 国家863计划; 中科院半导体所工程中心
学科主题半导体器件
收录类别CSCD
资助信息国家863计划
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18449]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
谭满清,陆建祖,李玉鉴. ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(3):248.
APA 谭满清,陆建祖,&李玉鉴.(2000).ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟.功能材料与器件学报,6(3),248.
MLA 谭满清,et al."ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟".功能材料与器件学报 6.3(2000):248.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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